。
直径100 um的硅片，温度上升1度，就引起了0.24um线性膨胀，所以必须有±0.1度的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间温度不宜超过25度，湿度过高产生的问题更多。
相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，净化工程，如果发生在装置或电路中，就会引起各种事故。
相对湿度在50%时易生锈。
此外，车间净化工程，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面难以清除。
相对湿度越高，粘附的越难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。
对于硅片生产湿度范围为35—45%。



乱流洁净室乱流洁净室的主要特点是从来流到出流（从送风口到回风口）之间气流的流通截面是变化的，洁净室截面比送风口截面大得多，因而不能在全室截面或者在全室工作区截面形成匀速气流。
所以，送风口以后的流线彼此有很大或者越来越大的夹角，手术室净化工程，曲率半径很小，气流在室内不可能以单一方向流动，将会彼此撞击，将有回流、旋涡产生。
这就决定乱流洁净室的流态实质是：突变流；非均匀流。
这比用紊流来描述乱流洁净室更确切、更。
紊流主要决定于雷诺数，也就是主要受流速的影响，但是如果采用一个过滤器顶送的送风形式，则即使流速极低，也要产生上述各种结果，这就因为它是一个突变流和非均匀流。
因此这种情况下不仅有流层之间因紊流流动而发生的掺混，而且还有全室范围内的大的回流、旋涡所发生的掺混。



这是指工作面上的照度由一般照明和局部照明合成的照明，其中一般照明的照度按《洁净厂房设计规范》应占总照度的10%—15%，但不低干150LX。
单位被照面积上接受的光通量即是照明单位勒克斯(LX)。
国外洁净室的强度要求极高，例如美国关于洁净室的几个标准的要求是．人工光300lx有较好的效果，当工件精细程度更高时，500x也是允许的。
对于要红灯照明的地方，如电子行业的光刻车间，其照度一般为(25—501x)，用天然光时可允许更高的照度，净化工程厂房，因而对工作是有利的，所以今后洁净室的照明既采用人工光也采用天然光可能是有前途的，这也是为了节能而出现的一种动向。



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